瑞銀:美光標準記憶體毛利率上看9成 兩大因素超車HBM

美光標準記憶體毛利率為何直奔9成?

根據科技新報(TechNews)引述瑞銀報告,美光(Micron)標準記憶體(標準型DRAM)毛利率在2025年期間約為44%至50%,進入2026年2月飆升至80%,同年5月到8月進一步攀升至89%與91%,2026年底更預期達到92%。瑞銀並預估這股漲勢延續至2027年,達到93%至95%的最高點,2028年多數時間維持在93%以上。鉅亨網報導的瑞銀數據與此一致:2025年約44%逐步升至50%,2026年初大幅攀升至80%,2027年可能進一步升至95%,2028年大部分時間維持約93%。

HBM毛利率漲勢相對溫和,兩者差距持續擴大

對比之下,科技新報與鉅亨網同步引述瑞銀報告指出,美光HBM毛利率的成長步伐明顯不如標準記憶體:2025年約56%至63%,2026年落在63%至70%,2027年預計達到75%至78%。鉅亨網進一步指出,以此推算,到了2027年,通用DRAM與HBM的毛利率差距可能擴大至17至20個百分點。

標準記憶體反超HBM,瑞銀點出兩大原因

科技新報報導,瑞銀將標準記憶體毛利率反超HBM歸因於兩大因素。第一是製造難度差異:HBM需要更多晶圓堆疊與極其複雜的封裝步驟,嚴重消耗生產線產能,進而壓縮標準記憶體的產量,造成供應受限。第二是雙重需求爆發:AI伺服器不僅需要GPU專用的HBM,還需要大量標準型DDR5來支援系統CPU運作,雙重拉貨推升標準記憶體價格與毛利。

鉅亨網另引述一份報告指出,記憶體製造商目前手握約380億美元預付款,其議價能力預計從2029年開始減弱,市場力量將逐步轉向客戶。在此背景下,當前記憶體市場的高毛利窗口期可能僅剩2至3年。

美光如何在HBM市占與標準記憶體毛利之間拉鋸?

根據科技新報與鉅亨網同步引述的瑞銀預估,美光HBM單季出貨量將從2025年初的0.1 exabytes(EB),成長至2026年底的0.29 EB,2027年底達到0.43 EB。在全球總量預估為2.1 EB的HBM市場中,美光市佔率預計2026年底達到22%至23%,2027年可能短暫下滑至18%,但年底預期回升至21%。與此同時,美光在標準記憶體市場的市佔率則預估將穩定維持在23%至24%。

鉅亨網報導指出,面對SK海力士(SK Hynix)與三星電子(Samsung Electronics)在HBM4市場的競爭,美光仍需維持HBM布局,但若持續將更多產能轉向HBM,勢必進一步壓縮通用DRAM供給,進而推升後者的價格與獲利。

這代表什麼

把兩份報導的數字並列可以看出,美光標準記憶體毛利率的漲幅(2025年44%~50%到2026年底92%)遠快於HBM同期(56%~63%到63%~70%),兩者差距在2027年可能擴大到17至20個百分點,與科技新報揭露的「製造難度」與「雙重需求爆發」兩大原因彼此呼應——HBM複雜封裝壓縮了標準記憶體產能,而AI伺服器對DDR5的剛性需求則推升其價格。同時,鉅亨網引述的380億美元預付款與2029年議價力減弱的時間點,也與美光在HBM市占率上「2026年22%~23%、2027年一度降至18%後回升至21%」的波動軌跡形成對照,顯示美光在HBM擴產與標準記憶體高毛利之間,正處於一段瑞銀認為可能僅剩2至3年的窗口期。