SK海力士攜手Sandisk發布HBF首個標準規範:512GB容量、UCIe互連涵蓋0.4TB/s至3.0TB/s頻寬

HBF首個標準規範定義了哪些技術參數？

根據科技新報報導，SK海力士宣布與Sandisk共同發布下一代儲存技術「高頻寬快閃記憶體」（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。這份規範定義了兩種容量配置，分別採用8層與16層堆疊NAND快閃記憶體晶片堆疊，最高支援512GB容量，並以三個等級（Grade 1~3）設定頻寬標準，資料傳輸能力涵蓋約0.4TB/s至3.0TB/s。Inside報導提供的數字與此一致，並補充HBF與處理器之間採用業界標準UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互連，這是業界通用的異質小晶片高速連接標準，意味著HBF不綁定單一處理器架構，GPU與CPU都能連接。科技新報也指出，此規範由全球最大的開放式資料中心技術合作組織OCP（Open Compute Project）正式發布，成為業界通用開放標準，而非企業私有標準。

SK海力士與Sandisk的HBF合作從何時啟動、如何推進至發布？

科技新報報導指出，此規範是繼SK海力士2025年8月與Sandisk啟動HBF標準化合作，並於2026年2月成立聯盟後，歷時約六個月推出的首個成果。Inside報導的時間軸敘述一致：SK海力士與Sandisk在2025年8月達成HBF標準化合作，2026年2月正式成立HBF聯盟，到這次規格出爐距離聯盟成軍僅6個月，距離最初結盟則整整一年。Inside報導並指出，發布時間點壓在FMS（Future of Memory and Storage）2026開幕當天，這場記憶體與儲存年度大會於2026年8月4日至6日在加州聖塔克拉拉會議中心舉行。

AI應用趨勢如何驅動了HBF規範發布？

根據科技新報報導，SK海力士副社長金千成表示，AI應用的快速普及，正推動整個數據處理架構迎來重構的關鍵期；透過HBF，公司將突破記憶體與儲存的邊界，助力構建提升系統整體效率的新架構。Inside報導則記錄了SK海力士在FMS開幕日的主題演講內容：執行副總裁Kim Chun-sung與副總裁Kang Uk-song共同發表演講，主軸為「分層記憶體」（Tiered Memory），並在官方新聞稿中表示，AI應用快速擴散，整體資料處理結構已到必須重新設計的時點，HBF會擴張記憶體與儲存之間的邊界。同一報導引述Sandisk技術長Alper Ilkbahar的說法：AI推論正在創造一組新的記憶體需求，這份規格讓系統設計者有實際路徑把高容量、高頻寬的記憶體搬到運算單元旁邊，對大規模的token經濟效益是重要一步。

HBF聯盟目前匯聚了哪些產業參與者？

科技新報報導指出，現階段HBF聯盟已匯聚包括Google與Tenstorrent。Inside報導補充，Google與AI晶片新創Tenstorrent在標準化過程中加入，兩家公司都參與了技術驗證；8月6日的專題座談「Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash」由Coughlin Associates總裁Thomas Coughlin主持，SK海力士副總裁Lim Eui-cheol、Sandisk副總裁Rajeev Nagabhirava與Google DeepMind資深工程師Xiaoyu Ma同台。

SK海力士與Sandisk的商業化時間表與產品規劃是什麼？

科技新報報導，SK海力士首次公開目前開發進展順利的第十代（V10）由375層堆疊的4D NAND快閃記憶體晶圓和產品，較上一代其效能功耗比提升2.5倍，公司計劃於2027年初啟動基於此NAND快閃記憶體的高效能、大容量企業級固態硬碟量產。Inside報導的敘述一致：SK海力士首度公開開發中的第十代（V10）375層4D NAND晶圓與產品，每瓦效能較前代提升2.5倍，基於該製程的高效能大容量企業級SSD（eSSD）預計2027年初投入量產。至於Sandisk一側，Inside報導引述韓媒ETNews於2026年4月的報導：Sandisk計畫2026年下半年送出HBF原型，試產線在下半年完成、年底前後開始運作，商業化目標放在2027年，日本是產地的主要候選。

業界其他廠商如何回應HBF，市場長期展望如何？

Inside報導指出，三星電子同場在8月4日公開BV-NAND原型，透過將記憶單元陣列與周邊控制電路分別做在兩片晶圓上再鍵合，突破400層門檻，三星稱密度較第九代V9 NAND提升58%；同時展示概念性的zHBM，把HBM直接堆到AI加速器晶片上方，用矽穿孔垂直連接。另一方面，群聯執行長潘健成先前表示，2026年記憶體原廠把資源集中在AI伺服器用的HBM，排擠了NAND的資本投資，NAND供不應求的機率極大。TrendForce則指出，輝達（NVIDIA）至今未公布任何採用HBF的計畫，但業界態度普遍正面，長期而言更可能形成HBM負責超高速運算、HBF承擔高密度資料的混合式記憶體階層。

這代表什麼

把已引用的證據並列可以看到兩層張力。第一，HBF標準以OCP開放組織名義發布、非企業私有標準，且SK海力士與Sandisk用了整整一年（2025年8月結盟、2026年2月成立聯盟、2026年8月4日發布規範）才推出首份規格；同一天，三星電子則以BV-NAND（突破400層、密度提升58%）與概念性zHBM展示另一條技術路線，顯示記憶體大廠對「AI時代如何重構記憶體與儲存邊界」尚未收斂到單一架構。第二，群聯示警2026年NAND資本投資被HBM排擠、供不應求機率極大，而TrendForce同時指出輝達（NVIDIA）至今未公布採用HBF的計畫——這意味着HBF標準雖已誕生，且SK海力士已規劃2027年初量產eSSD、Sandisk也把商業化目標放在2027年，但關鍵下游客戶的表態與整體NAND產能環境，仍是這套新標準能否真正落地的兩個未定數。