晶圓代工先進製程節點對照:台積電 / 三星 / Intel(2026 年 7 月)
三大晶圓代工廠(台積電、三星、Intel)先進製程節點的量產時程、電晶體架構與代表應用,按量產年排列。2025 Q4 是三強在「2nm 世代」的交會點。
| 廠商 | 節點 | 量產年 | 電晶體架構 | 代表應用 |
|---|---|---|---|---|
| 台積電 | N5 (5nm) | 2020 | FinFET(首用 EUV) | Apple A14 |
| 三星 | 5LPE | 2020 | FinFET | Exynos 系列 |
| Intel | Intel 7 | 2021 | FinFET | Alder Lake |
| 三星 | 3nm GAA (3GAE) | 2022 | MBCFET (GAA) | HPC |
| 台積電 | N3 / N3E | 2022–23 | FinFET(最後一代) | Apple A17 Pro |
| Intel | Intel 4 | 2023 | FinFET(導入 EUV) | Meteor Lake |
| Intel | Intel 3 | 2023–24 | FinFET | Xeon 6 |
| Intel | Intel 18A | 2025 | RibbonFET + PowerVia | Panther Lake |
| 台積電 | N2 (2nm) | 2025 Q4 | 首代 Nanosheet GAA | Apple A20 |
| 三星 | SF2 (2nm) | 2025 Q4 | MBCFET (GAA) | Exynos 2600 |
| 台積電 | A16 (1.6nm) | 2026 Q4(規劃) | GAA + 背面供電 | — |
| Intel | Intel 14A | 2027(規劃) | RibbonFET + PowerDirect | Tesla(已確認) |
| 台積電 | A14 (1.4nm) | 2028 下半(規劃) | 第二代 GAA | — |
方法與來源
節點名稱、量產年、架構取自各廠官方技術頁與新聞稿(tsmc.com、samsung 半導體、newsroom.intel.com),客戶/應用多為技術媒體(AnandTech、Tom''s Hardware、TrendForce、DigiTimes 等)引用官方之報導,官方頁通常不點名客戶。⚠ 各廠「nm」為行銷代稱,非實際電晶體閘極尺寸,不同廠同「nm」非同一物理尺寸,本表不做等效換算,只並列官方節點名。標「(規劃)」者為官方公布之計畫/預計時程,非已量產(A16/A14/14A 等)。Intel 20A 已取消對外量產(僅技術驗證),故未列。SF2 等 PPA 數字官方不同場合口徑略異,以官方為準。製程時程常有調整,以官方最新公布為準。
來源:https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/logic/l_2nm
擷取日期:2026-07-26