HBM 高頻寬記憶體世代規格對照(HBM2 到 HBM4)
HBM 各世代(HBM2 / HBM2E / HBM3 / HBM3E / HBM4)的每 pin 速率、每堆疊頻寬、最大堆疊層數與容量對照。AI 加速晶片的記憶體瓶頸與 HBM 世代直接相關。
| 世代 | JEDEC 標準 | 每 pin 速率 | 每堆疊頻寬 | 最大堆疊層數 | 最大容量/堆疊 | 年份 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM2 | JESD235A | 2.0 Gbps | 256 GB/s | 8-Hi | 8 GB | 2016 (標準) |
| HBM2E | JESD235B | 2.4 Gbps | 307 GB/s | 12-Hi | 24 GB | 2018 (標準) |
| HBM3 | JESD238 | 6.4 Gbps | 819 GB/s | 16-Hi | 64 GB | 2022 (標準) |
| HBM3E * | 廠商擴充 | 9.2–9.8 Gbps | ~1.2 TB/s | 12-Hi | 36 GB | 2024 (量產) |
| HBM4 | JESD270-4 | 8 Gbps | 2 TB/s | 16-Hi | 64 GB | 2025 (標準) |
方法與來源
數字以 JEDEC 官方標準為準:HBM2=JESD235A、HBM2E=JESD235B、HBM3=JESD238、HBM4=JESD270-4(2025-04 發布)。因 jedec.org 對外抓取回傳 403,JEDEC 數字經多家技術媒體(Phoronix、Tom''s Hardware、WCCFTech、VideoCardz 等)交叉引用官方原文確認。⚠「HBM3E」並非獨立 JEDEC 標準,而是廠商(三星/SK海力士/美光)在 HBM3 上的擴充實作,該列速率/頻寬/容量為量產產品代表值(三星 Shinebolt 9.8Gbps 36GB、SK 9.6Gbps、美光 >9.2Gbps),已以 * 標示。HBM4 列為 JEDEC 標準基準(8 Gbps/pin、2 TB/s、2048-bit 介面);廠商 HBM4 產品速率更高(三星約 11.7、美光 >11 Gbps,頻寬 2.8+ TB/s),屬廠商規格未列入標準欄。年份為標準發布年(HBM3E 為量產年)。規格與供應更新頻繁,以官方為準。
擷取日期:2026-07-22