Intel宣布完成RAMP-C計畫:18A製程如何銜接Secure Enclave與美國國防合作

RAMP-C計畫的啟動時間與三階段進度

根據Intel Foundry(英特爾晶圓代工事業)在官方新聞室發布的新聞稿,這份文件對計畫啟動時間出現兩種不同說法。其一指出,計畫「於2021年9月啟動,支持美國本土前緣互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術與製造的發展,為擴大值得信賴的本土半導體製造奠定基礎」。另一處則寫道:「自2021年10月啟動以來,RAMP-C已在三個階段中取得可衡量的進展。」無論確切啟動月份為何,Intel Foundry在新聞稿中宣布,Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial(RAMP-C)計畫已經完成。

Intel 18A製程如何支撐RAMP-C計畫目標

Intel表示,透過RAMP-C計畫,Intel Foundry讓客戶與生態系夥伴得以加速開發,並使用Intel 18A製程,從原型階段邁向量產就緒(production readiness)。新聞稿指出,18A製程導入了RibbonFET與PowerVia兩項技術,「用意在於提升每瓦效能與密度」。這項製程技術的成熟,是Intel Foundry宣布RAMP-C計畫完成的技術基礎之一。

Secure Enclave與SHIP計畫的技術銜接

Intel表示,Secure Enclave計畫「也建立在先進異質整合封裝(State-of-the-art Heterogeneous Integrated Packaging,SHIP)計畫之上,反映Intel與美國國防部持續合作以強化本土半導體能力」。換言之,Secure Enclave並非獨立專案,而是承接了RAMP-C計畫所驗證的18A製程、RibbonFET與PowerVia技術,再疊加SHIP計畫的封裝成果而成。

美國國防部觀點與計畫執行機制

研究與工程副部長辦公室(Office of the Under Secretary of War for Research and Engineering,OUSW(R&E))微電子計畫經理Eric Makara對這項合作表示評論:「國防部與Intel在Trusted & Assured Microelectronics RAMP-C計畫上的合作,已促成一項關鍵的、最先進的本土半導體技術與設計賦能基礎設施的成功開發。」

新聞稿並說明計畫的組織架構:RAMP-C計畫由信賴與確保微電子(Trusted and Assured Microelectronics,T&AM)辦公室主導,該辦公室隸屬於OUSW(R&E)。計畫透過策略與頻譜任務先進韌性信賴系統(Strategic and Spectrum Missions Advanced Resilient Trusted Systems,S²MARTS)其他交易授權機制(Other Transaction Authority,OTA)授予,讓國防工業基礎(DIB)客戶得以取得Intel Foundry的Intel 18A製程技術與先進封裝(Advanced Packaging),用於原型開發,以及美國國防部商用與DIB產品的量產。

Intel在美國半導體版圖中的定位

新聞稿寫道:「身為唯一一家同時研究、開發並製造前緣半導體技術的美國公司,Intel在美國經濟競爭力與國家安全上扮演關鍵角色。」這項定位描述出現在RAMP-C計畫完成公告的同一份新聞稿中,呼應了前述美國國防部選擇與Intel合作、透過T&AM辦公室與S²MARTS OTA機制授予計畫的背景。

時間軸整理

這代表什麼

將新聞稿中的敘述並列可以發現,同一份文件對RAMP-C計畫的啟動月份給出兩種說法——一處為2021年9月,另一處為2021年10月,且僅有後者提及「三個階段」的推進架構,兩處敘述存在出入。撇開這項文字差異,新聞稿呈現的是一條技術與制度的銜接線:RAMP-C計畫在T&AM辦公室主導、S²MARTS OTA機制授予下,驗證了Intel 18A製程與RibbonFET、PowerVia技術,而這些成果被Secure Enclave計畫直接繼承,並與SHIP計畫的封裝成果整合;Eric Makara對合作成果的評論,以及新聞稿對Intel「唯一一家美國本土前緣半導體公司」的定位描述,則共同構成了美國國防部選擇透過Intel Foundry推動本土半導體製造能力的敘事框架。