光鼎電子推出ThermaFlat™ SiC MOSFET系列 主打高溫電阻穩定性搶攻AI與新能源市場

光鼎電子推出的ThermaFlat™ SiC MOSFET系列包含哪些產品型號與規格？

根據中央社報導,臺灣上市公司光鼎電子推出ThermaFlat™ SiC MOSFET系列產品,憑藉「獨創的Ultra-Low RDS(on) Drift技術」,該元件在高溫高負載下能維持電阻穩定。

光鼎電子指出,除了已在市場穩定供貨的ThermaFlat™ I系列之外,本次正式推出全新ThermaFlat™ II系列,提供客戶更具抗干擾與簡化設計優勢的新選擇。

就具體規格而言,ThermaFlat™ I系列提供650V、1200V至1700V的完整電壓型號與多元封裝,包括TO-247-3L/4L、TOLL-8L、Q-DPAK等封裝形式,可直接對應市場主流電源架構,縮短開發時程。

ThermaFlat™系列的獨創技術優勢如何突破高溫電阻瓶頸？

中央社報導引述光鼎電子說明,以650V、21mΩ產品(TO-247-3封裝)為例,當晶片接面溫度(Tj)由-25°C提升至+125°C時,電阻變化幅度僅約8%,光鼎電子表示此表現「遠低於一般同級產品」。

另根據Inside報導,ThermaFlat™ II系列採用High VGS(th)高閘極臨界電壓設計,提升系統抗干擾能力,驅動電路無須負電壓關斷即可穩定運作,藉此簡化設計並降低成本。

Inside報導同時引述光鼎電子說法,指1200V系列產品亦展現「極低的溫度係數」,可有效提升電源系統整體性能。

產品規格對照

光鼎電子的全球營運布局與核心競爭力為何？

中央社報導引述光鼎功率半導體事業部副總洪敏清表示,公司核心競爭力在於「高質量與一致性」、「提高電源系統性能穩定度與降低系統成本」以及「穩定快速的供貨能力」。

就公司背景而言,光鼎電子(股票代號:6226)創立於1987年,為全球知名之LED封裝與電子元件製造商。

在營運布局方面,光鼎電子於臺灣、中國、美國、印度及緬甸設有全球營運與製造基地,致力於為全球客戶提供高效能、高可靠度的光電與功率半導體解決方案。

這代表什麼

從中央社與Inside兩則報導交叉比對可見,光鼎電子這次發表的兩款系列各有側重:I系列著重於電壓覆蓋範圍(650V至1700V)與封裝多樣性,以縮短客戶開發時程;II系列則透過High VGS(th)設計簡化驅動電路,訴求降低系統成本。而650V產品在-25°C至+125°C區間電阻變化約8%的數據,是目前證據中唯一具體量化的高溫穩定性指標,其餘關於1200V系列「極低溫度係數」的描述則仍屬光鼎電子自身用語,未附加對應數值。搭配公司自1987年成立以來已於五個國家/地區布局製造與營運據點的背景,顯示此次新品發表是建立在既有全球產能基礎之上的產品線擴充。