DRAM 一季暴漲近倍:記憶體超級週期為何和過去不同?

DRAM 與 NAND 價格暴漲的規模有多大?

一般型DRAM合約價在2026年第一季季增達93%至98%,漲勢為近年僅見CITE:E1。第二季預估再漲58%至63%(合約價、季環比口徑)CITE:E1。

NAND Flash合約價2026年第二季預估季增70%至75%,顯示這波漲勢橫跨DRAM與NAND兩大記憶體產品線,並非單一產品的個別現象CITE:E3。

AI 需求如何驅使記憶體廠轉向新應用並拉緊供給?

記憶體廠將產能大量轉向HBM與伺服器應用,是這波漲價的供給側主因CITE:E2。記憶體廠商同時以長期合約(LTA)鎖定部分產能供應特定客戶CITE:E2。由於新建記憶體產能需時甚久,供給端在短期內無法對這波需求做出反應CITE:E2。

HBM 為何成為這波循環中最供不應求的環節?

美光表示其2026整個曆年度的HBM供給價量已全數鎖定CITE:E4。美光的HBM需求更延伸至2027年,使HBM成為這波記憶體循環中最供不應求的環節CITE:E4。

HBM 技術世代如何快速躍升以支撐 AI 運算?

HBM3E每堆疊頻寬約1.2TB/s,新一代HBM4已提升至2TB/sCITE:E6。HBM4為2025年JEDEC制定的標準,三大記憶體廠預計2026年陸續進入HBM4量產,是這波循環的技術主軸CITE:E6。

漲價如何帶動記憶體廠商營收創出歷史新高?

SK海力士2026年第二季營收年增達257%,由HBM與AI伺服器需求驅動CITE:E5。美光同期(FQ3)營收達414.6億美元,年增約346%,同創歷史新高CITE:E5。

這次循環為何是結構性 AI 需求驅動,而非傳統庫存週期?

這次記憶體循環的驅動力是結構性AI需求,而非傳統的供給去化循環CITE:E7。過去記憶體循環多仰賴業者減產去化庫存,這次則是每單位運算所需的記憶體量級躍升所拉動CITE:E7。此外,業者在2022至2023年下行期大砍資本支出,新產能需18至24個月才能開出,使供給端更難快速回應這波需求CITE:E7。

這代表什麼:DRAM與NAND合約價同步暴漲、HBM供給鎖定至2027年、SK海力士與美光營收同步創高,三者共同指向同一件事——記憶體供給的擴產速度追不上AI運算需求的成長速度CITE:E1CITE:E4CITE:E5。業者在上一輪下行週期壓縮的資本支出,加上18至24個月的新產能開出週期CITE:E7,意味著這波緊俏狀態不會在短期內透過傳統的減產—回補節奏自然緩解。