記憶體超級週期:DRAM一季暴漲近一倍,這次和以前哪裡不同?

DRAM和NAND價格為何這次齊漲?漲幅有多大?

一般型DRAM合約價在2026年第一季季增達93%至98%,漲勢為近年僅見。TrendForce統計,這是合約價、季環比口徑的數字,並非現貨價或年增數字;TrendForce同時預估,第二季DRAM合約價將再季增58%至63%CITE:E1。漲勢不止DRAM單一產品:第二季NAND Flash合約價同樣預估季環比上漲70%至75%CITE:E3,顯示這輪漲勢橫跨DRAM與NAND兩大記憶體產品線。

AI需求如何排擠了DRAM的供給?

記憶體廠正把產能大量轉向高頻寬記憶體(HBM)與伺服器應用,壓縮一般型DRAM的可用產能。TrendForce指出,記憶體廠不僅擴大HBM與伺服器記憶體的產能配置,更透過長期合約(LTA)鎖定部分供給,而有意義的新增產能最快要到2027年底才能開出CITE:E2。與此同時,HBM供給端已呈現全面售罄狀態:三大記憶體廠2026年的HBM供給均已賣光,美光(Micron)的HBM3E與HBM4價量已鎖定,訂單滿至2027曆年,需求甚至已延伸至2028年CITE:E4。

這波漲勢如何驅動記憶體廠商創下營收紀錄?

SK海力士(SK Hynix)與美光的營收雙雙因HBM與AI伺服器需求推升至歷史新高。SK海力士2026年第二季營收年增達257%CITE:E5;美光FQ3營收達414.6億美元,年增約346%,同樣創下新高CITE:E5。

HBM技術躍升(HBM3E到HBM4)在其中扮演什麼角色?

HBM技術世代從HBM3E的每堆疊1.2TB/s提升至HBM4的2TB/s,是這波循環的技術主軸。2025年由JEDEC訂定標準的HBM4,頻寬較HBM3E明顯提升CITE:E6;三大記憶體廠2026年陸續進入HBM4量產階段CITE:E6,而美光的HBM3E與HBM4價量已同步鎖定,訂單能見度看到2027年CITE:E4。

這次記憶體超級週期和過去最根本的差異是什麼?

SK海力士指出,這波循環是結構性AI需求驅動,而非過去靠減產去化庫存的供給循環。SK海力士表示,過去記憶體循環多仰賴業者減產來消化庫存,這次則是由每單位運算所需的記憶體量級躍升所拉動CITE:E7。SK海力士並指出,2022至2023年下行期間業者大砍資本支出,使新產能需要18至24個月才能開出,讓供給更難快速回應需求CITE:E7。這與TrendForce所稱、有意義新增產能最快要到2027年底才會開出的觀察相互呼應CITE:E2。

這代表什麼

DRAM與NAND合約價的兩位數乃至倍增漲幅CITE:E1CITE:E3,與SK海力士、美光的營收創新高數字CITE:E5,共同指向同一個供給瓶頸:HBM產能被優先分配、新產能開出時間落在2027年之後CITE:E2CITE:E4。SK海力士將此定性為結構性AI需求驅動、而非傳統供給循環CITE:E7,若這個判斷成立,漲勢能持續多久,取決於新產能開出的進度,而非業者是否減產。