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中華車旗下綠捷推四足機器人GT5X、GT3X 拚2027年台灣自製率100%
中華車旗下綠捷發表四足機器人GT5X與GT3X，訂定2027年在地自製率100%目標；團隊由原中華汽車人馬轉任、逾15年車用技術經驗，並分別與恩嘉科技、輝達NVIDIA、台塑新智能合作AI運算與電池系統。
EffectStory 編輯部 ·
半導體專題
ASML 將 EUV 數值孔徑從 0.33 提升至 0.55:High-NA EUV 如何支撐 2 奈米以下製程
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ASML將EUV微影系統的數值孔徑從0.33提高到0.55,新一代EXE:5000系統以更大的投影光學達成8奈米解析度,可讓晶片製造商以單次曝光印製小1.7倍的特徵,首批應用鎖定2奈米節點的邏輯晶片。
傳統 EUV 與 High-NA EUV 有何差異?
ASML的標準EUV系統採用0.33數值孔徑,而High-NA EUV系統將數值孔徑提高到0.55CITE:E1。ASML表示,採用其13.5奈米EUV光源的NXE系列標準EUV系統,數值孔徑為0.33CITE:E3。ZEISS SMT的公開資料同樣指出,既有EUV微影的數值孔徑為0.33,而High-NA EUV微影將數值孔徑提高到0.55CITE:E1。兩者共用同一顆13.5奈米EUV光源,差異集中在光學系統的數值孔徑設計上CITE:E2CITE:E3。
High-NA EUV 系統的核心規格與光學創新是什麼?
ASML的EXE:5000系統以0.55數值孔徑搭配13.5奈米EUV光源,可印製8奈米解析度圖案CITE:E2。ASML表示,這套系統之所以能達到0.55的數值孔徑,是靠全新、更大的投影光學實現CITE:E4。換言之,數值孔徑提升並非既有平台的參數調整,而是搭配了規格不同的投影光學硬體CITE:E4。
| 項目 | 標準 EUV(NXE) | High-NA EUV(EXE:5000) |
|---|---|---|
| 數值孔徑(NA) | 0.33 | 0.55 |
| EUV 光源波長 | 13.5 奈米 | 13.5 奈米 |
| 解析度 | 證據未提供 | 8 奈米 |
| 單次曝光特徵縮小倍數 | 證據未提供 | 1.7 倍 |
| 首批應用製程節點 | 證據未提供 | 2 奈米(邏輯晶片) |
8 奈米解析度將如何改變晶片製造能力?
EXE:5000的8奈米解析度讓晶片製造商能以單次曝光印製比現行技術小1.7倍的特徵CITE:E5。這項規格與0.55數值孔徑、13.5奈米EUV光源的組合直接相關CITE:E2CITE:E5,代表在不增加曝光次數的前提下,微影系統本身即可處理更精細的圖案。
2 奈米製程的首批應用是什麼?
ASML表示,首批採用EXE:5000製造的晶片將是2奈米節點的邏輯晶片CITE:E6。這項應用時程與EXE:5000的0.55數值孔徑、8奈米解析度規格相銜接CITE:E2CITE:E6,顯示High-NA EUV系統的規格設計與其鎖定的製程節點目標一致。
這代表什麼:把六項證據並列可以看到一條完整的技術鏈——數值孔徑從0.33提高到0.55,靠的是全新、更大的投影光學CITE:E1CITE:E4;在同一顆13.5奈米EUV光源下,這套光學系統能印製8奈米解析度、單次曝光特徵縮小1.7倍CITE:E2CITE:E5;而這項規格組合鎖定的首批應用,正是2奈米節點的邏輯晶片CITE:E6。三項規格(數值孔徑、解析度、特徵縮小倍數)與最終應用節點之間,呈現出彼此對應的一致性。
📊 證據與數據
- 外部已核驗傳統 EUV 微影使用 0.33 的數值孔徑,而 High-NA EUV 微影將數值孔徑提高到 0.55。:數值孔徑由 0.33 提高至 0.55zeiss.com
- 外部已核驗High-NA 系統以 0.55 數值孔徑搭配 13.5 奈米 EUV 光源,提供更高對比並印製僅 8 奈米的解析度。:0.55 NA、13.5nm 光源、8nm 解析度asml.com
- 外部已核驗標準 EUV 的 NXE 系統使用 13.5 奈米 EUV 光源,其數值孔徑為 0.33,是 High-NA 之外的既有世代。:NXE 標準 EUV:NA 0.33asml.com
- 外部已核驗EXE:5000 系統之所以能達到 0.55 的數值孔徑,是靠全新、更大的投影光學。:0.55 NA 由更大投影光學實現asml.com
- 外部已核驗EXE:5000 的 8 奈米解析度讓晶片製造商能以單次曝光印製小 1.7 倍的特徵。:8nm 解析度、特徵小 1.7 倍asml.com
- 外部已核驗首批使用 EXE:5000 製造的晶片將是 2 奈米節點的邏輯晶片。:首批應用為 2nm 節點邏輯晶片asml.com
常見問題
傳統 EUV 與 High-NA EUV 有何差異?
ASML的標準EUV系統採用0.33數值孔徑,而High-NA EUV系統將數值孔徑提高到0.55CITE:E1。ASML表示,採用其13.5奈米EUV光源的NXE系列標準EUV系統,數值孔徑為0.33CITE:E3。ZEISS SMT的公開資料同樣指出,既有EUV微影的數值孔徑為0.
High-NA EUV 系統的核心規格與光學創新是什麼?
ASML的EXE:5000系統以0.55數值孔徑搭配13.5奈米EUV光源,可印製8奈米解析度圖案CITE:E2。ASML表示,這套系統之所以能達到0.55的數值孔徑,是靠全新、更大的投影光學實現CITE:E4。換言之,數值孔徑提升並非既有平台的參數調整,而是搭配了規格不同的投影光學硬體CITE:E4。
8 奈米解析度將如何改變晶片製造能力?
EXE:5000的8奈米解析度讓晶片製造商能以單次曝光印製比現行技術小1.7倍的特徵CITE:E5。這項規格與0.55數值孔徑、13.5奈米EUV光源的組合直接相關CITE:E2CITE:E5,代表在不增加曝光次數的前提下,微影系統本身即可處理更精細的圖案。
2 奈米製程的首批應用是什麼?
ASML表示,首批採用EXE:5000製造的晶片將是2奈米節點的邏輯晶片CITE:E6。這項應用時程與EXE:5000的0.55數值孔徑、8奈米解析度規格相銜接CITE:E2CITE:E6,顯示High-NA EUV系統的規格設計與其鎖定的製程節點目標一致。
📎 資料來源
延伸數據
📊 數據對照
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📊 數據對照
半導體設備商季度營收對照(2026)
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📊 數據對照
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作者觀點・EffectStory 編輯部
從光學規格重組來看,ASML這次的技術跳躍不是既有NXE平台的參數微調,而是換上全新、更大的投影光學,才把數值孔徑從0.33推升到0.55,並做到8奈米解析度、單次曝光特徵縮小1.7倍。這代表先進製程微縮現階段仍高度依賴光學硬體世代更替。值得追蹤的指標是:首批以EXE:5000量產的2奈米節點邏輯晶片何時實際出貨,這將檢驗1.7倍特徵縮小承諾能否兌現。
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